Kính hiển vi điện tử ZEISS Crossbeam 550

Máy phát Schottky SEM:

1.4nm @ 1kV

1.2 nm @ 1 kV với giảm tốc Tandem

1.6 nm @ 200 V với giảm tốc Tandem

0.7nm @ 15 kV

0.6nm @ 30 kV (chế độ STEM)

1.8nm @ 1 kV (WD 5 mm)

1.3 nm @ 1 kV với giảm tốc Tandem (WD 5 mm)

0.9nm @ 15kV (WD 5 mm)

2.3nm @20 kV & 10 nA (WD 5 mm)

Dòng tia: 10 pA – 100 nA

Độ phân giải lưu trữ: 32 k × 24 k (tối đa 50 k × 40 k với mô-đun Chụp cắt lớp 3D Atlas 5 tùy chọn)

Giới hạn phát hiện: < 4.2 ppm boron trong silicon

Độ phân giải bên: <35 nm

Khối lượng/dải sạc: 1-500 Th

Độ phân giải khối lượng: m/Δm > 500 FWTM

Độ phân giải độ sâu: < 20nm Hệ thống đa lớp AlAs/GaAs